“ROHM开发出实现超低导通电阻的第五代Pch MOSFET”

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24新推出了适用于工业设备和大型高价电子设备的-40v和-60v耐压产品24种

全球知名半导体制造商rohm (总部位于日本京都市)提供了24v输入电压的pch mosfet*1/*2产品，最适合fa、机器人等产业设备和空调等电子设备

本系列作为rohm市场业绩丰富的pch mosfet产品，使用了第五代新微米工艺，实现了业界最低的单位面积导通电阻*3。 -40v耐压品的导通电阻比以往产品低62%，-60v耐压品的导通电阻比以往产品低52%，有助于设备的节能性和小型化。

另外，通过采用优化元件结构、有助于改善电场集中问题的新设计，可以进一步提高产品质量，兼顾被认为矛盾的产品的可靠性和低导通电阻，有助于追求高质量的工业设备的长时间稳定运行。

本系列产品已从年8月开始以月产100万个的规模投入批量生产，(样品价格200日元/个，不含税) )产品为ameya360、sekorm、right ic、oneyac网络销售平台 前工序的生产基地为rohm co .，ltd .，日本滋贺工厂，后工序的生产基地为RohmIntegratedsystems，thailand，ltd .，泰国。

今后，rohm将继续扩展软件包系列以支持更广泛的APP。 另外，还计划推进车载级产品的开发。 此外，随着人们利用互联网的云业务模式和生活模式的高速发展，诉求日益扩大的数据中心服务器和5g基站的产品阵容需要进一步完善。 rohm除了此次发售的第5代pch mosfet之外，还将持续推进更高效的nch mosfet*2的开发事业，为减少APP应用的设计工时和提高可靠性和效率做出贡献。

近年来，在工业设备和电子设备等行业中，许多顾客使用高输入电压的电源电路实现高级控制，对于mosfet产品，除了要求低导通电阻之外，对高耐压性能的诉求也在提高。

mosfet产品分为nch和pch两种，更普遍的是高效率的nch应用，但是在高边采用nch mosfet的情况下，栅极电压必须比输入电压高，电路结构变得更多，存在复杂的问题 另外，通过采用pch mosfet，可以用比输入电压低的栅极电压进行驱动，简化电路结构，也有助于减轻设计负担。

在这种背景下，rohm利用第五代微米工艺成功开发出了能够支持24v输入、-40v/-60v耐压的低导通电阻pch mosfet。

<； 新产品的优势>；

1.实现行业的超低导通电阻

新产品采用rohm第五代微米工艺技术，使栅极沟槽结构*4比rohm的现有产品更精密，提高了电流密度，在支持24v输入的-40v/-60v耐压pch mosfet行业中极为优异 -40v耐压产品的导通电阻比以往产品降低62%，-60v耐压产品的导通电阻比以往产品降低52%，对应用设备的节能性和小型化做出了非常大的贡献。

2.使用新的设计，大幅提高质量

新产品利用迄今为止积累的可靠性相关技术，优化元件结构，并采用新的设计，改善了最容易产生电场集中问题的栅极沟槽部分的电场分布，实现了质量的大幅提高。 在不牺牲导通电阻的情况下，成功地提高了以往存在的相互依存关系的可靠性，改善了高温偏压状态下的元件特性劣化的问题，为追求更高品质的工业设备的长时间稳定运行做出了贡献。

3.丰富的产品阵容，有助于减少许多APP的设计工时和提高可靠性

此次发售的新产品中，包括-40v和-60v耐压共计24种产品，适用于fa设备、机器人、空调整设备等的应用。 将来，为了支持工业设备行业以外的更广泛的APP，将继续扩展更丰富的包装系列，还计划开发车载产品。 另外，采用新结构的下一代工艺不仅应用于pch mosfet产品，还应用于nch mosfet产品，扩大了产品阵容，为减少越来越多的APP应用的设计工时和提高可靠性做出了贡献。

<； 系列>；

<； 应用示例>；

■fa设备、机器人、空调整设备等工业设备用风扇电机和电源管理开关

■大型、昂贵的电子设备用风扇电机和电源管理开关

<； 用语解说>；

/ h/] *1(金属氧化物半导体场效应晶体管) ) ) ) ) ) ) ) ) ) ) )。

金属-氧化物-半导体场效应晶体管是fet中最常用的结构。 作为开关元件使用。

*2)通道位移/通道位移

pch mosfet :通过向栅极施加相对于源极的负电压而导通的mosfet。 电路结构简单，可以用比输入电压低的电压驱动。

nch mosfet :通过向栅极施加相对于源极的正电压而导通的mosfet。 与pch mosfet相比，漏极和源极之间的导通电阻小。 这是因为可以降低通常的损失。

*3)导通电阻

接通MOSFET时的漏极-源极间的电阻值。 该值越小，运行时的损失(电力损失)越小。

*4)沟槽结构

槽( trench )是指槽。 这是在芯片表面形成槽，在其侧壁形成mosfet栅极的结构。 平面型mosfet不存在结构上存在的jfet电阻，比平面结构更容易微细化。

来源：企业之窗